Desenvolvimento de mudas de couve-flor em função do incremento de silício no substrato
Wenneck, Gustavo SoaresSaath, ReniRezende, RobertoSanti, Danilo CesarAndrean, André Felipe BarionAraújo, Larissa Leite deSá, Nathália de Oliveira
A produção de mudas é etapa importante do estabelecimento da cultura, com reflexos no rendimento, cuja aplicação de Si pode melhorar características fitossanitárias e de desempenho. O objetivo do estudo foi analisar o incremento de silício em substrato sobre o desenvolvimento de mudas de Brassica oleracea var. Botrytis . O experimento foi desenvolvido em blocos casualizados, com cinco quantidades de silício (0, 25, 50, 75 e 100 g kg-1de substrato) e 4 repetições. Foi utilizado óxido de silício (98%SiO2), sendo misturado ao substrato com posterior preenchimento das bandejas de polietileno (128 células) e semeadura. As bandejas foram mantidas em casa de vegetação. Aos 30 dias após a semeadura foi avaliado a altura das mudas, número de folhas, massa fresca das folhas e caule, massa seca das folhas, caule e raiz. Os dados foram submetidos a análise de variância pelo teste F e análise de regressão. Das variáveis analisadas, apenas a massa seca de raízes não apresentou diferença significativa. Modelos quadráticos podem representar a variação dos componentes. A altura de mudas foi crescente com o incremento de silício até a dose de 75 g kg-1. Demais variáveis apresentaram acréscimos até dose de 50 g kg-1. O incremento de silício no substrato foi eficiente no desenvolvimento de mudas de Brassica oleraceavar. botrytisem quantidade até 50 g kg-1de substrato.
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